中山大學舉辦 100年半導體製程設備使用說明會

活動時間：100年5月20日(星期五)

活動地點：國立中山大學理學院國際會議廳

主辦單位：

國立中山大學-國科會高屏地區奈米核心設施共同實驗室
高高屏區域教學資源中心

時　間　/　課　程

09:00~09:20 報到
09:20~10:00 奈米核心設施簡介
10:00~12:00 雙束型聚焦離子數(Focused Ion Beam)
                    感應耦合式電漿蝕刻系統(ICP-Etcher)
                    高密度電漿化學氣相沉積系統(HDP-CVD)
                    多靶磁控濺鍍系統(Sputter)
                    雙電子束蒸鍍系統 (E-Beam)
                    快速退火系統 (RTA)
                    薄膜特性分析儀(N & K analyzer)
                    三維輪廓儀(3D Alpha-Step Profilometer)
                    四點探針(4 Point Probe)
                    光學微影系統(Mask Aligner)
                    雷射退火系統 (Laser Annealing )
                    雷射濺鍍系統(Laser Ablation)
12:00~13:00 午餐時間